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还在为嵌入式系统或网络设备寻找一颗稳定高效的内存核心吗？MT47H32M16BN-25E:D TR正是您期待的答案。这颗来自美光科技的512Mb DDR2 SDRAM芯片，凭借高达400MHz的运行频率和并联接口，能轻松应对高速数据读写挑战，显著提升您的系统整体响应速度和数据处理能力。

它采用1.8V典型电压供电，功耗控制出色，同时支持0°C至85°C的工业级工作温度范围，确保在各种环境下都能稳定运行。其紧凑的84-TFBGA封装，让您在设计时能更高效地利用板卡空间。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场验证的可靠性与高性能，让您的设备运行更流畅、更高效。

• 型号:MT47H32M16BN-25E:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（10x12.5）
• MT47H32M16BN-25E:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。