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当您的设计需要一颗稳定、高效的内存核心时，MT47H256M8EB-25E XIT:C正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的2Gb DDR2 SDRAM芯片，能以高达400MHz的时钟频率和400ps的极速访问时间，让您的系统数据处理能力飞跃提升，轻松应对实时性要求高的复杂任务。

它采用1.8V左右低电压运行，在提供强大性能的同时优化能效。其宽广的-40°C至95°C工作温度范围，更能让您在工业、通信等严苛环境中部署得心应手，确保设备持续稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的可靠与高效。

• 型号:MT47H256M8EB-25E XIT:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
• MT47H256M8EB-25E XIT:C，Micron（美光）产品一站式供应商。