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还在为系统数据吞吐的瓶颈而烦恼吗？让MT47H256M4HQ-5E:E TR为您注入澎湃动力！这颗美光出品的1Gb DDR2 SDRAM芯片，能以高达200MHz的时钟频率和仅600ps的快速访问时间，轻松处理海量并行数据，显著提升您的设备响应速度与运行效率。

它专为要求严苛的嵌入式与工业应用而生。1.8V的低电压供电帮助您优化系统能效，而0°C至85°C的宽温工作特性，则确保它在各种环境下都能稳定运行，让您的产品设计无后顾之忧。无论是网络设备的数据缓存，还是工业控制器的实时运算，它都是您实现高性能、高可靠性设计的得力助手。

• 型号:MT47H256M4HQ-5E:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:256M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x11.5）
• MT47H256M4HQ-5E:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。