我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT47H256M4HQ-187E:E TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统数据带宽不足而烦恼吗？让MT47H256M4HQ-187E:E TR为您注入强劲动力！这颗来自美光科技的1Gb DDR2 SDRAM芯片，是专为追求高效并行处理的应用而设计。它以533MHz的时钟频率和并联接口，为您提供快速的数据访问通道，轻松应对网络设备、工业控制等场景中的大量数据读写需求。

它采用1.8V典型电压供电和先进的60-FBGA封装，在有效控制功耗的同时，确保了在0°C至85°C工作温度下的出色稳定性。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的可靠性与高效能，让您的系统运行更加流畅、响应更加迅捷。

• 型号:MT47H256M4HQ-187E:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:256M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:350 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x11.5）
• MT47H256M4HQ-187E:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。