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您正在寻找一颗能扛起数据重担、确保系统流畅响应的核心存储器吗？MT47H128M8CF-3:H TR正是为您而来。这颗1Gb容量的DDR2 SDRAM芯片，能以高达333MHz的速度运行，配合极低的访问延迟，轻松应对工业控制、网络通信、医疗设备等领域中实时、高速的数据交换需求，让您的设备核心永远动力十足。

它采用标准的1.8V供电和并联接口，兼容性广泛，能帮助您快速完成系统集成。其表面贴装的60-TFBGA封装和宽温工作特性，确保了在紧凑空间和复杂环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份经过时间验证的可靠与高效。

• 型号:MT47H128M8CF-3:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H128M8CF-3:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。