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当您的设计需要一颗能够高速、稳定处理并行数据流的心脏时，MT47H128M4CB-3:B TR正是您期待的答案。这颗来自美光科技的512Mb DDR2 SDRAM芯片，能以高达333MHz的速度运行，配合仅450ps的访问时间，让您的系统实现瞬间数据读写，大幅提升整体响应效率和处理能力。

它采用1.8V左右的标准低电压供电和并联接口，不仅功耗控制出色，更能为您提供充沛的数据带宽。无论是驱动复杂的图形显示、处理实时网络数据，还是支撑工业控制系统的稳定运行，它都能轻松胜任，让您的产品在性能与可靠性上赢得先机。

• 制造商产品型号：MT47H128M4CB-3:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：450ps
• 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
• 工作温度：0°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-FBGA
• MT47H128M4CB-3:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。