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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT47H128M16RT-3:C为您注入强劲动力！这颗来自美光科技的2Gb DDR2 SDRAM芯片，能以高达333MHz的速度高效处理数据，其快速的访问与写入周期，显著提升您的设备响应速度，让实时控制与高速通信变得轻而易举。

它不仅能为您提供128M x 16的大容量并行存储空间，满足复杂应用的数据缓冲需求，其1.8V左右的核心电压与宽温工作特性，更能帮助您构建出功耗更低、运行更稳定可靠的系统。选择它，就是为您的工业控制、网络设备或嵌入式应用选择了一颗久经考验、性能卓越的“数据引擎”。

• 型号:MT47H128M16RT-3:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（9x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（9x12.5）
• MT47H128M16RT-3:C，Micron（美光）产品一站式供应商。