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还在为嵌入式系统的数据瓶颈寻找突破口吗？让MT46V64M8TG-6T L:F TR为您开启高效存储新篇章。这颗512Mb DDR SDRAM芯片，能以高达167MHz的速度流畅处理数据，其700ps的极速访问时间和15ns的快速写周期，确保您的应用程序能够即时响应，大幅提升整体系统吞吐量。

它采用标准的并联接口和2.5V左右供电，兼容性极佳，能让您轻松集成到各类设计中。无论是用于缓存大量临时数据，还是作为程序运行的关键内存，它都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的设备注入一颗强劲而稳定的‘数据心脏’，让性能表现始终高效如一。

• 型号:MT46V64M8TG-6T L:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8TG-6T L:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。