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还在为设备的数据处理速度而烦恼吗？MT46V64M8P-5B:J正是您期待的解决方案。这颗由美光科技打造的512Mb DDR SDRAM芯片，采用高效的64M x 8并行架构，能以高达200MHz的时钟频率飞速运转，让您的系统轻松应对海量数据流的实时读写需求。

它就像您设备中的“高速公路”，凭借仅700ps的超低访问时间和15ns的快速写入能力，确保关键数据瞬间可达，极大提升整体响应效率。其2.5V~2.7V的低电压设计，在提供强劲性能的同时兼顾能效，帮助您优化产品功耗。无论是嵌入式系统、网络设备还是工业控制器，选择它，就是为您的产品选择了可靠、高效的内存核心，让性能表现从此大不相同。

• 型号:MT46V64M8P-5B:J
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8P-5B:J，Micron（美光）产品一站式供应商。