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还在为系统数据带宽不足而影响整体性能发愁吗？让MT46V64M8P-5B:D来为您解决！这颗512Mb容量的DDR SDRAM芯片，就像一个高速、有序的数据中转站，能以200MHz的时钟频率和并联接口，高效处理您的海量数据流。

它能让您的嵌入式系统、网络设备或工业控制器运行得更快、更稳。其仅700ps的访问时间和15ns的写周期，意味着数据存取迅如闪电，极大提升系统响应效率。2.5V~2.7V的低电压工作特性，还有助于您设计出更节能的产品。选择它，就是为您的核心硬件配备了一位可靠高效的“数据管家”。

• 型号:MT46V64M8P-5B:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8P-5B:D，Micron（美光）产品一站式供应商。