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还在为嵌入式系统的数据缓存速度而焦虑吗？让MT46V64M8FN-6:F TR来为您排忧解难！这颗来自美光科技的512Mb DDR SDRAM芯片，凭借其64M x 8的并行架构和高达167MHz的运行速度，能为您的高速处理器提供源源不断的低延迟数据流，轻松应对实时任务处理与大数据缓冲的挑战。

它能让您的工业控制、网络通信或显示设备运行如飞，700ps的极速访问时间和仅15ns的写周期时间，确保了数据写入与读取的高效同步。其2.3V~2.7V的宽电压支持与0°C~70°C的工作温度范围，更赋予了它出色的环境适应性与稳定性，让您的设计在各种应用场景下都信心十足。

• 型号:MT46V64M8FN-6:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8FN-6:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。