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还在为系统数据带宽不足而困扰吗？MT46V64M8FN-6:D TR这颗512Mb DDR SDRAM就是您的高效答案。它能以高达167MHz的时钟频率和并联接口，为您的高速处理器提供充沛的数据流，轻松应对实时数据处理、图像缓冲或通信缓存等任务，显著提升系统整体响应速度。

这颗芯片采用紧凑的60-TFBGA封装，节省您的电路板空间，其2.3V~2.7V的工作电压范围也展现出良好的电源适应性。选择它，就是为您的设计注入一颗经过验证的、稳定可靠的数据心脏，让您的产品运行更加流畅高效。

• 型号:MT46V64M8FN-6:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8FN-6:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。