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还在为系统性能瓶颈而烦恼吗？让MT46V64M8FN-5B:D TR为您带来飞跃式的体验升级！这颗由美光科技打造的512Mb DDR SDRAM，拥有高达200MHz的运行频率和仅700ps的快速访问时间，能瞬间响应处理器的每一次数据请求，让您的设备运行如行云流水般顺畅。

它采用经典的64M x 8位宽并行接口和2.5V低电压设计，为您的高性能嵌入式应用提供了大容量、高带宽且节能的存储解决方案。无论是处理复杂的实时数据，还是支撑流畅的多媒体运行，它都能轻松胜任，显著提升系统整体效率与响应速度。

• 型号:MT46V64M8FN-5B:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8FN-5B:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。