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还在为嵌入式系统的数据缓存速度而烦恼吗？让MT46V64M8BN-75:D TR为您带来高效流畅的体验。这颗美光出品的512Mb并行DDR SDRAM，能以133MHz的时钟频率和极低的访问延迟，快速响应处理器的每一次数据请求，显著提升您的系统整体响应速度和处理能力。

它采用成熟的60-TFBGA表面贴装封装，易于集成到您的PCB设计中。2.3V~2.7V的宽电压支持与0°C~70°C的工作温度范围，让您的设备能在更多样的环境中稳定运行。无论是用于程序运行空间、数据缓冲区还是显示帧缓存，它都能可靠地担当重任，让您的产品设计更高效、更稳定。

• 型号:MT46V64M8BN-75:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8BN-75:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。