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还在为系统数据处理的瓶颈而烦恼吗？让MT46V64M8BN-6:F TR为您开启高效数据通道！这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM，凭借其64M x 8的并行架构与167MHz的高速时钟，能轻松应对密集的数据读写任务，显著提升您的系统响应速度与多任务处理能力。

它能在2.3V至2.7V的电压下稳定工作，有效帮助您优化整体功耗。其700ps的快速访问时间和宽温工作特性（0°C ~ 70°C），确保您的设备在各种环境下都能保持数据访问的流畅与可靠。选择它，就是为您的产品选择了一颗经过市场验证、性能稳健的“数据心脏”。

• 型号:MT46V64M8BN-6:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8BN-6:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。