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还在为嵌入式系统寻找一颗稳定可靠的内存核心吗？MT46V64M8BN-5B:D TR就是您值得信赖的伙伴。这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM芯片，能以高达200MHz的速度运行，访问时间低至700ps，让您的设备数据处理如行云流水般高效顺畅。

它采用2.5V~2.7V低电压设计，有效帮助您降低系统整体功耗，并在0°C至70°C的广泛温度范围内稳定工作，轻松应对各种环境挑战。其紧凑的60-TFBGA表面贴装封装，更能让您在有限的空间内实现强大的存储功能，是工业控制、通信设备等成熟应用升级或维护的优选方案。

• 型号:MT46V64M8BN-5B:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8BN-5B:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。