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还在为嵌入式系统或通信设备寻找一颗稳定可靠的内存核心吗？MT46V64M4TG-5B:G TR正是您期待的答案。这颗美光出品的256Mb DDR SDRAM芯片，能以高达200MHz的时钟频率和并联接口，为您的高速数据处理需求提供充沛带宽，让您的设备运行如飞。

它采用2.5V~2.7V低电压设计，有效控制功耗，同时700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，确保数据读写高效流畅。无论是工业控制、网络设备还是其他需要可靠缓存的场景，它都能轻松融入，成为您系统中沉默而强大的性能基石。

• 制造商产品型号：MT46V64M4TG-5B:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：256Mb（64M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.5V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：66-TSSOP (szeroko 0，400，10，16mm)
• MT46V64M4TG-5B:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。