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您正在寻找一颗能瞬间提升系统数据吞吐能力的心脏吗？MT46V64M4FG-5B:G TR正是您期待的答案。这颗美光256Mb DDR SDRAM芯片，凭借200MHz的高时钟频率和仅700ps的超快访问时间，能轻松胜任高速数据缓冲与实时处理任务，让您的设备运行如飞。

它采用高效的64M x 4并行接口和15ns的快速写入周期，确保您在处理大量数据流时依然高效流畅。无论是加速图形显示、强化网络通信还是优化工业控制，它都能提供稳定可靠的高速存储支持，助您轻松构建响应迅捷的嵌入式系统。

• 型号:MT46V64M4FG-5B:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:64M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x14）
• MT46V64M4FG-5B:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。