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MT46V32M8FG-75E:G 零件图片(仅供参考)

MT46V32M8FG-75E:G
Micron 订单到达,马上发货

MT46V32M8FG-75E:G 规格参数

还在为嵌入式系统寻找一颗‘恰到好处’的内存核心吗?MT46V32M8FG-75E:G就是您的答案。这颗由美光科技打造的256Mb DDR SDRAM,采用32M x 8的并行架构,能以133MHz的时钟频率高效运转,让您的设备数据处理能力瞬间提升。

它就像您系统中的一个高速数据中转站,750ps的快速访问时间和15ns的写周期,确保指令和数据能够被迅速响应与执行,大幅减少等待延迟。其2.3V~2.7V的低电压运行特性,不仅节能,更提升了系统的整体能效比。无论是处理复杂的控制逻辑还是缓冲动态数据流,它都能让您的设计运行得更流畅、更可靠。

  • 制造商产品型号:MT46V32M8FG-75E:G
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:盒
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR
  • 存储容量:256Mb(32M x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:133MHz
  • 写周期时间-字,页:15ns
  • 访问时间:750ps
  • 电压-供电:2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:60-FBGA
  • MT46V32M8FG-75E:G,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT46V32M8FG-75E:G 基本参数:

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