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还在为嵌入式系统的数据吞吐速度而烦恼吗？让MT46V32M8BG-5B:GTR为您带来改变！这颗256Mb并行DDR SDRAM，拥有高达200MHz的时钟频率和闪电般的700ps访问时间，能轻松胜任高速数据缓冲和实时处理任务，瞬间提升您系统的响应效率。

它采用32M x 8的经典架构，为您提供稳定、高效的并行数据通道，特别适合工业控制、网络设备等需要可靠、宽带宽内存支持的应用场景。2.5V~2.7V的工作电压和0°C~70°C的工业级温度范围，确保它在各种环境下都能稳定运行，让您的设计更省心，产品更具竞争力。

• 型号:MT46V32M8BG-5B:GTR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x14）
• MT46V32M8BG-5B:GTR，Micron（美光）产品一站式供应商。