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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT46V32M16TG-75 L:C TR为您的高性能设计注入强劲动力。这颗美光DDR SDRAM芯片，凭借512Mb（32M x 16）的并行架构和133MHz的时钟频率，能轻松实现高速、大容量的数据缓存与交换，显著提升您的设备响应速度和处理效率。

它采用2.3V~2.7V低电压运行，有效降低系统功耗，其750ps的超快访问时间和15ns的写周期时间，确保数据读写如行云流水。无论是工业控制、网络设备还是需要稳定内存支持的传统应用，它都能让您的产品运行更流畅、更可靠。选择它，就是选择了一份经过市场长期验证的稳定与高效。

• 型号:MT46V32M16TG-75 L:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V32M16TG-75 L:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。