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您正在为项目寻找一颗能担当大任的并行DDR内存吗？MT46V32M16P-5B L:J就是您的高效伙伴。这颗由美光科技打造的512Mb DRAM，采用经典的32M x 16位宽架构，能以200MHz的高速时钟稳定运行，让您的系统数据处理如行云流水般顺畅。

它为您提供高达512Mb的海量存储空间和仅700ps的极速访问时间，轻松胜任实时数据缓存、程序运行空间扩展等关键任务。其2.5V~2.7V的低电压设计助力您降低整体功耗，而0°C至70°C的宽温工作范围则确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，让您的设计在性能与可靠性上双双赢得先机。

• 型号:MT46V32M16P-5B L:J
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V32M16P-5B L:J，Micron（美光）产品一站式供应商。