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还在寻找一颗能瞬间提升您系统响应速度的“心脏”吗？MT46V32M16BN-6:F TR就是您期待的答案。这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM，拥有高达167MHz的时钟频率和仅700ps的快速访问时间，能轻松驾驭高速数据读写，让您的应用程序运行如飞，彻底告别卡顿与等待。

它采用高效的32M x 16位并行接口和2.5V典型供电，在提供宽广数据通道的同时，也兼顾了能效。无论是用于缓冲海量数据、支撑实时运算，还是作为多媒体内容的流畅缓存，它都能出色完成任务。其工业级的温度适应性和表面贴装（60-TFBGA）设计，更确保了在各种复杂环境下的长期稳定运行，让您的产品设计更可靠、更省心。

• 型号:MT46V32M16BN-6:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V32M16BN-6:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。