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还在为嵌入式系统的数据瓶颈而烦恼吗？让MT46V16M8TG-6T L:D TR为您开启高效数据存取的新篇章。这颗美光DDR SDRAM芯片，拥有128Mb（16M x 8）的存储容量和高达167MHz的运行速度，能轻松胜任作为系统高速缓存或主内存的角色，显著提升您的设备响应速度和处理能力。

它采用2.3V~2.7V低电压供电和表面贴装设计，不仅节能，更能让您的PCB布局更紧凑。其并联接口和快速的访问时间，确保数据流转畅通无阻。无论是工业控制、网络设备还是需要可靠存储的各类应用，它都能让您的设计性能更稳定，运行更高效。

• 型号:MT46V16M8TG-6T L:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V16M8TG-6T L:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。