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您正在寻找一颗能提升系统响应速度与数据吞吐能力的核心存储器吗？MT46V16M16TG-75 L:F正是您理想的伙伴。这颗美光出品的256Mb并行DDR SDRAM，拥有133MHz的高效时钟频率和16位宽的数据总线，能让您的嵌入式设备轻松应对实时数据读写挑战，显著提升整体运行效率。

它能在2.3V~2.7V的低电压下稳定工作，有效降低系统功耗，同时其750ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，确保了数据交换的高速与流畅。无论是用于工业控制、通信接口还是其他需要可靠、即时存储的应用，它都能让您的设计性能更加出众，运行更加稳定可靠。

• 型号:MT46V16M16TG-75 L:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V16M16TG-75 L:F，Micron（美光）产品一站式供应商。