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您正在寻找一颗能瞬间提升系统响应速度的存储核心吗？MT46V16M16P-5B XIT:M TR正是您期待的答案。这颗256Mb DDR SDRAM芯片，拥有200MHz的高时钟频率和仅700ps的超快访问时间，能让您的设备实现高效的数据读写与处理，轻松应对实时性要求高的复杂任务。

它采用2.5V~2.7V低电压供电，并能在-40°C至85°C的宽温范围内稳定工作，确保您的工业控制、网络通信或汽车电子应用在各种苛刻环境下依然可靠运行。其16位宽的并行接口和快速的写周期，让大数据流的传输变得无比顺畅，显著提升整体系统性能，是您打造高效、稳定产品的得力伙伴。

• 型号:MT46V16M16P-5B XIT:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V16M16P-5B XIT:M TR，Micron（美光）产品一站式供应商。