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还在为系统数据带宽不足而烦恼吗？让MT46V128M4TG-6T:F TR为您开启高效数据流的新篇章。这颗由美光科技打造的512Mb DDR SDRAM，能以高达167MHz的速度运行，配合仅700ps的极速访问时间，瞬间响应您的每一个读写指令，彻底释放您主控芯片的潜能，让数据处理变得前所未有的轻松流畅。

它采用2.3V~2.7V的低电压工作，在保证强劲性能的同时，有效降低了系统整体功耗，特别适合对能效有要求的嵌入式应用。其128M x 4的组织结构和并联接口，为您提供了灵活而高效的数据通道，无论是用于工业控制、网络通信还是高端消费电子，都能让您的设备运行更稳定，体验更出色。

• 型号:MT46V128M4TG-6T:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V128M4TG-6T:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。