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还在为设备的数据处理瓶颈而烦恼吗？让MT46V128M4FN-5B:D TR为您带来颠覆性的流畅体验。这颗512Mb DDR SDRAM芯片，拥有高达200MHz的时钟频率和仅700ps的快速访问时间，能瞬间响应您的数据调用指令，大幅提升系统整体运行效率。

它采用高效的128M x 4并行架构和2.5V~2.7V供电，让您的嵌入式设计在功耗与性能间取得完美平衡。无论是工业控制、通信基础设施还是消费电子，它都能轻松融入，提供稳定可靠的大容量数据暂存空间，让您的产品在激烈的市场竞争中快人一步。

• 型号:MT46V128M4FN-5B:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V128M4FN-5B:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。