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还在为嵌入式系统的数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT46V128M4BN-5B:F TR为您带来流畅体验！这颗美光512Mb DDR SDRAM芯片，采用高效的128M x 4并行架构，以200MHz的时钟频率和仅700ps的访问时间，让您的应用能够轻松应对高速数据读写需求，显著提升系统响应速度。

它能在2.5V至2.7V的低电压下稳定工作，功耗控制出色，同时0°C至70°C的工业级温度范围确保了广泛的适用性。无论是用于网络设备的数据缓冲，还是工业控制器的实时运算，它都能提供可靠、高效的存储支持，让您的设计更稳健，性能更出众。

• 制造商产品型号：MT46V128M4BN-5B:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.5V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
• MT46V128M4BN-5B:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。