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还在为嵌入式系统的数据吞吐瓶颈而困扰吗？MT46H32M16LFBF-6:B TR就是您期待的解决方案。这颗512Mb容量的移动LPDDR SDRAM，能以高达166MHz的速度运行，配合仅5ns的访问时间，让您的应用实现闪电般的数据读写，轻松应对实时图形处理、高速数据缓存等苛刻任务。

它采用先进的低电压设计（1.7V~1.95V），在提供强劲性能的同时，显著降低系统功耗，让您的设备更高效、更持久。其工业级的温度适应能力（0°C~70°C）和可靠的60-VFBGA封装，确保在各种复杂环境下稳定运行，是您打造高性能、高可靠性产品的理想存储伙伴。

• 型号:MT46H32M16LFBF-6:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-VFBGA（8x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-VFBGA
• 供应商器件封装:60-VFBGA（8x9）
• MT46H32M16LFBF-6:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。