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凭借2Gb（128M x 16）的容量和166MHz的时钟频率，它能轻松应对工业控制、汽车电子、高端通信设备中产生的海量实时数据，5ns的极速访问时间确保系统响应毫无迟滞。其1.7V~1.95V的低电压设计与宽广的-40°C至85°C工作温度范围，更让您的产品在节能与严苛环境适应性上脱颖而出。

选择这颗芯片，意味着您为产品选择了一位沉默却强大的“性能伙伴”，让您的设计在稳定性与效率上赢得关键优势。

• 型号:MT46H128M16LFB7-6 IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-VFBGA（10x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-VFBGA
• 供应商器件封装:60-VFBGA（10x10）
• MT46H128M16LFB7-6 IT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。