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还在为嵌入式系统寻找一颗既快又省心的“工作内存”吗？MT45W8MW16BGX-701 WT TR就是您的理想答案。这颗美光128Mb PSRAM芯片，能为您提供一个高速、无需管理刷新操作的简易内存池，让您的MCU或处理器可以像访问SRAM一样轻松、高效地存取数据，彻底摆脱传统DRAM的复杂时序负担。

它凭借104MHz的运行频率和仅70ns的访问时间，让您的应用能够快速响应实时事件，流畅处理大量信息。无论是缓存图像帧、存储临时算法数据，还是作为通信缓冲区，它都能出色完成任务。其1.7V~1.95V的低电压工作和宽温特性，更能帮助您轻松设计出功耗更低、适应性更强的产品，显著提升整体方案的竞争力与可靠性。

• 型号:MT45W8MW16BGX-701 WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:104 MHz
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（8x10）
• MT45W8MW16BGX-701 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。