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还在为嵌入式系统寻找速度快、接口简单又省心的内存方案吗？MT45W4MW16BCGB-708 WT正是为您准备的答案。这颗美光64Mb PSRAM芯片，采用并行接口，让您像使用SRAM一样轻松操作，无需复杂的刷新电路，却能获得类似DRAM的高密度存储能力，极大简化了您的设计工作，提升了系统可靠性。

它能让您的设备运行更高效。70ns的快速访问时间，确保数据随时待命，响应迅捷；1.7V~1.95V的低电压工作范围，则有助于延长便携设备的电池续航。无论是工业控制器的实时数据处理，还是智能设备的多任务运行，它都能提供稳定流畅的内存支持，让您的产品性能表现更加出众。

• 型号:MT45W4MW16BCGB-708 WT
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（6x8）
• MT45W4MW16BCGB-708 WT，Micron（美光）产品一站式供应商。