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还在为嵌入式系统寻找高速、稳定又经济的内存方案吗？MT45W1MW16PDGA-70 WT TR这颗16Mb并行PSRAM芯片，就是您期待的答案。它采用先进的伪静态随机存取存储器技术，为您提供高达70ns的快速数据访问与写入能力，让您的设备处理任务时响应迅捷，体验流畅。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现大容量数据缓存，其1M x 16的组织结构非常适合处理图像、音频等流式数据。宽电压（1.7V~1.95V）与宽温（-30°C~85°C）特性，确保它在各种严苛环境下都能高效稳定工作，极大提升了您终端产品的可靠性与适应性。选择它，就是选择了一个经过验证的、能简化设计并优化整体系统成本的高性能存储核心。

• 型号:MT45W1MW16PDGA-70 WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-VFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:16Mb
• 存储器组织:1M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-VFBGA
• 供应商器件封装:48-VFBGA（6x8）
• MT45W1MW16PDGA-70 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。