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还在为高速数据缓冲的延迟问题而烦恼吗？MT44K64M18RB-107E IT:A TR正是您期待的答案。这颗美光RLDRAM 3芯片，能以高达933MHz的时钟频率和仅8ns的极速访问时间，为您的高速网络、通信及计算设备提供强大的数据吞吐能力，让您的系统处理海量信息时依然游刃有余。

它集成了1.125Gb的存储容量，采用高效的并联接口，专为需要极致带宽和低延迟的缓存应用而生。无论是核心路由器、交换设备，还是测试测量仪器，它都能确保数据流畅无阻。其宽广的工作温度范围（-40°C ~ 95°C）和稳定的1.28V~1.42V供电，更让您在各种严苛环境下都能信赖它的表现，轻松构建高效、可靠的高端系统。

• 制造商产品型号：MT44K64M18RB-107E IT:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：最後
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：RLDRAM 3
• 存储容量：1.125Gb（64Mb x 18）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：933MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：8ns
• 电压-供电：1.28V ~ 1.42V
• 工作温度：-40°C ~ 95°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：168-TBGA
• MT44K64M18RB-107E IT:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。