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还在为系统内存带宽不足而限制创新？MT44K64M18RB-107E:A正是您突破瓶颈的答案。这颗美光RLDRAM 3芯片拥有1.125Gb（64Mb x 18）的存储容量和高达933MHz的运行频率，专为满足网络、通信和计算设备中对超高吞吐量和超低延迟的苛刻要求而设计。

它能让您的数据平面处理如虎添翼，轻松应对海量数据包的即时缓冲与交换。仅8ns的快速访问时间，意味着处理器几乎无需等待，大幅提升系统整体响应效率。其稳健的并联接口和宽温工作特性，确保在0°C至95°C的复杂环境下依然稳定可靠，让您的产品设计更具竞争力与信心。

• 型号:MT44K64M18RB-107E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K64M18RB-107E:A，Micron（美光）产品一站式供应商。