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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT44K32M18RB-125E:A为您带来改变。这颗576Mb并行DRAM芯片，凭借800MHz的高时钟频率和仅10ns的快速访问时间，能瞬间提升您的数据处理速度。它就像您系统中的一个超级中转站，让海量数据得以高效、流畅地通行，轻松应对实时计算、高速缓冲等苛刻任务。

其1.28V至1.42V的低电压供电和宽温工作范围（0°C ~ 95°C），意味着它能在节省宝贵能耗的同时，在多种复杂环境中稳定运行。无论是嵌入式工控设备、网络基础设施还是需要持续可靠性的专业应用，选择它，就是为您的产品选择了一颗经过验证、值得信赖的性能核心，让您的设计更高效，更具竞争力。

• 型号:MT44K32M18RB-125E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:10 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K32M18RB-125E:A，Micron（美光）产品一站式供应商。