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还在为系统数据吞吐速度不够快而烦恼吗？让MT44K32M18RB-125:A为您带来飞跃性的改变。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，凭借800MHz的高时钟频率和仅12ns的访问时间，能瞬间响应您的数据读写指令，让高速网络设备、工业控制系统或高性能计算平台运行如飞，彻底释放硬件潜力。

它采用先进的1.28V~1.42V低电压供电，在为您提供强劲性能的同时，也实现了出色的能效控制。其坚固的168-TBGA封装和宽达0°C至95°C的工作温度范围，确保它能在各种严苛的嵌入式环境中稳定运行，让您的产品设计更可靠，竞争力更强。选择它，就是选择高效与安心。

• 型号:MT44K32M18RB-125:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:12 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K32M18RB-125:A，Micron（美光）产品一站式供应商。