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还在为系统带宽瓶颈而烦恼吗？让MT44K32M18RB-107E:B为您带来飞跃式的性能提升！这颗来自美光科技的576Mb并行DRAM，凭借高达933MHz的时钟频率和18位宽的数据总线，能够为您的高速处理器提供源源不断的“数据燃料”，轻松应对大数据流的实时读写需求，显著提升整体系统的响应速度和处理能力。

它采用1.28V~1.42V的低电压供电和168-TBGA紧凑型封装，不仅让您的设计更加节能高效，还能有效节省宝贵的PCB空间。无论是复杂的工业控制、高速网络通信还是高性能计算模块，这颗芯片都能稳定运行在0°C至95°C的温度范围内，确保您的设备在各种环境下都表现出色，可靠耐用。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而稳定的“数据心脏”。

• 型号:MT44K32M18RB-107E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K32M18RB-107E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。