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还在为系统数据吞吐速度而烦恼吗？让MT44K32M18RB-107E:A为您带来飞跃性的改变。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，凭借高达933MHz的时钟频率和仅8ns的访问时间，能瞬间提升您的数据处理效率，让海量信息流转如飞。

它采用先进的1.28V~1.42V低电压供电和168-TBGA紧凑封装，不仅节能高效，更能轻松集成到您的空间受限的设计中。无论是应对严苛的工业环境温度，还是满足高性能计算对稳定性的极致要求，它都能让您的系统运行得更稳健、更可靠，轻松驾驭各种复杂应用场景。

• 型号:MT44K32M18RB-107E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K32M18RB-107E:A，Micron（美光）产品一站式供应商。