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更重要的是，它能在1.14V~1.3V的超低电压下稳定工作，显著降低系统整体功耗，让您的便携式或嵌入式设备续航更持久。其216-WFBGA小型化封装和宽温工作特性，进一步让您能高效设计出适应严苛环境、结构紧凑的可靠产品，全面提升终端竞争力。

• 型号:MT42L64M64D2KH-3 IT:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:64M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• MT42L64M64D2KH-3 IT:A，Micron（美光）产品一站式供应商。