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还在为您的移动设备寻找一颗既强劲又省电的“记忆核心”吗？MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR就是您的理想答案。这颗美光8Gb LPDDR2 DRAM，能为您的高速应用处理器提供充沛的数据带宽，让高清视频播放、复杂图形运算和多任务切换都变得无比流畅迅捷。

它采用先进的低功耗设计，工作电压仅1.14V~1.3V，能显著降低系统整体能耗，轻松延长您产品的电池续航。其紧凑的216球BGA封装，为您节省宝贵的电路板空间，助力实现更轻薄的产品设计。无论是面对严苛的工业环境温度，还是追求极致的消费电子体验，这颗芯片都能让您的设计游刃有余，高效可靠。

• 型号:MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:128M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。