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您是否正在寻找一颗能扛住车载严酷考验，同时提供疾速数据响应能力的内存芯片？MT41K64M16TW-107 AUT:J正是为您而来。这颗来自美光科技的1Gb DDR3L SDRAM，以高达933MHz的时钟频率和并联接口，让您的系统能够轻松驾驭海量数据流，实现瞬间读写与高效处理，彻底告别性能瓶颈。

它专为汽车电子深度优化，严格符合AEC-Q100标准，从容应对-40°C到125°C的极端温度范围，确保在智能座舱、ADAS等关键应用中稳定运行。其1.283V~1.45V的低工作电压，还有助于您设计出更节能、更高效的下一代车载产品。选择它，就是为您的核心设计注入一颗强劲而可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT41K64M16TW-107 AUT:J
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
• MT41K64M16TW-107 AUT:J，Micron（美光）产品一站式供应商。