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它专为严苛环境而生，1.283V~1.45V的低电压设计让您轻松实现系统节能，显著延长设备续航或降低散热需求。同时，其支持0°C至95°C的宽工作温度范围，确保您的产品即使在极端温差下也能保持稳定运行，极大地提升了应用可靠性与环境适应性。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的卓越品质。

• 型号:MT41K512M8V00HWC1-N001
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:模具
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
• MT41K512M8V00HWC1-N001，Micron（美光）产品一站式供应商。