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还在为系统带宽瓶颈而烦恼吗？让MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR为您彻底解决！这颗强大的4Gb DDR3L SDRAM芯片，能以高达800MHz的速度与您的处理器协同工作，轻松应对海量数据的实时读写需求，瞬间提升您的设备响应速度与多任务处理能力。

它采用先进的低电压设计（1.283V~1.45V），在为您提供高效性能的同时，显著降低系统功耗，特别适合对能效有严苛要求的嵌入式与网络应用。其宽广的工业级工作温度范围（-40°C ~ 95°C）和可靠的78-TFBGA封装，更能确保您的产品在各种复杂环境下稳定运行，无后顾之忧。选择它，就是为您的核心设计注入一颗持久、强劲的动力引擎。

• 型号:MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。