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更令人心动的是，它采用1.35V低电压运行，在爆发强劲性能的同时，显著降低了功耗，让您的设备更节能、更环保。其工业级的宽温范围（0°C ~ 95°C）与可靠的表面贴装封装，确保它在各种严苛环境下都能稳定工作，是您构建高可靠工业控制、网络通信及嵌入式系统的理想内存基石。选择它，就是选择了一份高效与安心。

• 型号:MT41K512M8RH-125:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-125:E，Micron（美光）产品一站式供应商。