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您正在寻找一颗能提升系统响应速度、同时兼顾能效的存储芯片吗？MT41K512M4HX-15E:D正是为您而来。这颗美光出品的2Gb DDR3L SDRAM，以667MHz的高时钟频率和低至13.5ns的访问时间，让您的设备能够轻松应对高速数据读写需求，瞬间响应指令，告别卡顿。

更重要的是，它采用先进的低电压技术（1.283V~1.45V），在提供强劲性能的同时，显著降低系统功耗，让您的产品更节能、发热更少，续航更持久。无论是嵌入式工控设备、网络通信硬件还是数字显示终端，它都能以高效稳定的表现，成为您系统中可靠的数据枢纽，助力产品性能脱颖而出。

• 型号:MT41K512M4HX-15E:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:667 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
• MT41K512M4HX-15E:D，Micron（美光）产品一站式供应商。