我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能同时满足高性能、高可靠性与低功耗需求的存储核心？MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR正是为您而来的解决方案。这颗美光出品的8Gb DDR3L SDRAM，以高达933MHz的时钟频率和并联接口，为您提供海量（512M x 16）且迅捷的数据通道，让您的系统处理复杂任务如行云流水，轻松应对实时计算与大数据吞吐的挑战。

更重要的是，它专为严苛环境设计。符合AEC-Q100标准的汽车级品质，搭配-40°C至105°C的宽温工作范围，确保它在智能汽车、工业控制等关键应用中稳定如山。其1.283V~1.45V的低电压运行特性，还能有效帮助您降低整体系统功耗，提升能效比。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的心脏。

• 制造商产品型号：MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR3L
• 存储容量：8Gb（512M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：933MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：20ns
• 电压-供电：1.283V ~ 1.45V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：96-TFBGA
• MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR，Micron（美光）产品一站式供应商。