我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT41K512M16TNA-125 M:E TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能瞬间提升系统数据吞吐能力的内存芯片吗？MT41K512M16TNA-125 M:E TR正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的8Gb DDR3L SDRAM，拥有高达800MHz的运行速度，能让您的设备轻松应对数据密集型任务，无论是实时处理还是高速缓存，都能做到游刃有余，显著提升整体响应效率。

它采用先进的低电压设计（1.283V~1.45V），在为您提供强大性能的同时，还能有效降低系统功耗，延长设备续航或减少散热压力。其512M x 16的并联架构和13.5ns的快速访问时间，确保了大规模数据交换的稳定与流畅。无论是用于工业控制、网络通信还是嵌入式计算，这颗芯片都能让您的设计更高效、更可靠。

• 型号:MT41K512M16TNA-125 M:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（10x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（10x14）
• MT41K512M16TNA-125 M:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。