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还在为系统卡顿、数据吞吐瓶颈而烦恼吗？MT41K512M16TNA-125:E就是您的高效解决方案。这颗8Gb容量的DDR3L SDRAM芯片，能以高达800MHz的速度运行，配合仅13.5ns的快速访问时间，让您的设备处理海量数据时依然流畅迅捷，彻底告别等待。

更重要的是，它采用先进的低电压技术（1.283V-1.45V），在为您提供强劲性能的同时，显著降低了功耗与发热，让您的产品更节能、更稳定。其坚固的96-TFBGA封装和宽温（0°C至95°C）特性，确保它能在各种严苛的工业与嵌入式环境中可靠工作，是您构建耐用、高效系统的理想内存伙伴。

• 型号:MT41K512M16TNA-125:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（10x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（10x14）
• MT41K512M16TNA-125:E，Micron（美光）产品一站式供应商。